[发明专利]改进的等离子体增强ALD系统有效
| 申请号: | 201480064498.6 | 申请日: | 2014-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN105992836B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | M·索瓦;R·凯恩;M·瑟沈 | 申请(专利权)人: | 雅达公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;吕小羽 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本文公开了改进的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统和相关的操作方法。真空反应室包括真空系统,所述真空系统从反应室分离包含未反应的第一前体的第一流出物,从反应室分离出第二流出物,其包含第二前体和所述第二前体与涂布表面反应的任何反应副产物。提供包含捕集器材料表面的捕集器以在第一前体与捕集器材料表面反应时从第一流出物移除第一前体。在第二前体包含等离子体产生的材料时,第二前体不通过捕集器。替代第二前体源将适合的第二前体注入到捕集器中以完成捕集器表面上的材料沉积层,由此使捕集器材料表面准备与第一前体在下一个材料沉积周期时反应。 | ||
| 搜索关键词: | 改进 等离子体 增强 ald 系统 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积方法,其包括:‑在反应室中支撑一个或多个衬底以进行沉积运行,其中所述沉积运行包括进行多个材料沉积涂布周期;‑对于每个沉积涂布周期:‑将第一前体递送到所述反应室中以与所述一个或多个衬底的暴露表面反应;‑从所述反应室移除第一流出物,其中所述第一流出物包含未反应的第一前体;‑使所述第一流出物通过ALD捕集器,其中所述ALD捕集器包含适合于与所述未反应的第一前体反应的捕集器材料表面;‑使替代第二前体通过所述ALD捕集器,其中所述替代第二前体适合于与所述捕集器材料表面以使所述捕集器材料表面能够与来自下一个涂布周期的第一流出物的未反应的第一前体反应并将其移除的方式进行反应,并且其中所述替代第二前体不从所述反应室抽出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





