[发明专利]使用低压工艺制造的高压器件

摘要

一种高压晶体管包括有源区，有源区包括由浅沟槽隔离的边界的内边缘限定的第一导电类型的扩散区。具有侧边缘和端部边缘的栅极设置在有源区之上。与第一导电类型相反的第二导电类型的分隔开的源极区和漏极区关于栅极的侧边缘向外设置在有源区中。比源极区和漏极区更轻掺杂的第二导电类型的轻掺杂区包围源极区和漏极区并且在源极区和漏极区之间朝向栅极向内延伸以限定沟道，并且朝向浅沟槽隔离的所有内边缘向外延伸。从至少漏极区的轻掺杂区的外部边缘与浅沟槽隔离的内边缘分隔开。

主权项

一种高压晶体管，所述高压晶体管包括：有源区，所述有源区包括由浅沟槽隔离的边界的内边缘限定的第一导电类型的扩散区；栅极，所述栅极具有设置在所述有源区之上并且与所述有源区绝缘的侧边缘和端部边缘；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的分隔开的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区关于所述栅极的所述侧边缘向外设置在所述有源区中；以及所述第二导电类型的轻掺杂区，所述轻掺杂区关于所述源极区和所述漏极区的掺杂被限定，所述第二导电类型的所述轻掺杂区包围所述源极区和所述漏极区，所述轻掺杂区在所述源极区和所述漏极区之间朝向所述栅极向内延伸以在所述栅极下面限定沟道，并且从至少所述漏极区朝向所述浅沟槽隔离的所有所述内边缘向外延伸，所述轻掺杂区的外边缘与所述浅沟槽隔离的所述内边缘分隔开。