[发明专利]包括发光二极管的光电子装置有效
| 申请号: | 201480062876.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN105900239B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
| 发明(设计)人: | 克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔 | 申请(专利权)人: | 艾利迪公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 杨生平,王天鹏 |
| 地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种光电子装置(5),其包括包括第一和第二对置面(12、14)的半导体基板(10);第一发光二极管(DEL1)的第一集合(D1),其置于所述基板的第一部分(541)并且包括圆锥或截头圆锥丝形的半导体元件(201);覆盖每个第一发光二极管(DEL1)的第一电极(301);第一导电部分(421),其与所述基板绝缘,并且延伸穿过所述基板并连接至所述第一电极;第二发光二极管(DEL2)的第二集合(D2),其置于所述基板的第二部分(542)并且包括圆锥或截头圆锥丝形的半导体元件(202);覆盖每个第二发光二极管(DEL2)的第二电极(302);第二导电部分(422),其与所述基板绝缘并且连接至所述第二电极;以及第一导电元件(461、51、482),其在所述第二面的一侧将所述第一导电部分连接至所述基板的第二部分。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 发光二极管 光电子 装置 | ||
【主权项】:
一种光电子装置(5;55;57;60),包括:第一导电型的掺杂半导体基板(10),其包括第一表面(14)和与所述第一表面(14)相对的第二表面(12);第一发光二极管(DEL1)的第一总成(D1),其由所述基板的第一基板部分(541)支撑并且包括第一线形或圆锥形的半导体元件(201);第一电极(301),其至少部分透明,并且覆盖每个第一发光二极管(DEL1);第一导电部分(421),其与所述基板绝缘,并且从所述第二表面穿过所述基板到达至少所述第一表面,并连接至所述第一电极;第二发光二极管(DEL2)的第二总成(D2),其由所述基板的第二基板部分(542)支撑并且包括第二线形或圆锥形的半导体元件(202);第二电极(302),其至少部分透明,并且覆盖每个第二发光二极管(DEL2);第二导电部分(422),其与所述基板绝缘,并且从所述第二表面穿过所述基板到达至少所述第一表面,并连接至所述第二电极;以及第一导电元件(461、51、482),其在所述第二表面的一侧将所述第一导电部分电连接至第二基板部分,其中,第一发光二极管的第一总成与第二发光二极管的第二总成串联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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