[发明专利]半导体元件的制造方法和半导体元件有效
| 申请号： | 201480061046.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105706215B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 松浦文章;佐藤知稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B24B27/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体元件(10)的制造方法包括：形成包含电介质膜(3)的半导体元件(10)的半导体元件形成工序；将区划半导体元件(10)的区划区域中的电介质膜(3)除去来形成划片区域(11)的划片区域形成工序；和在划片区域(11)进行划片的划片工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：半导体元件形成工序，在形成于衬底上的GaN类半导体膜上形成电介质膜，由此形成多个半导体元件；划片区域形成工序，通过蚀刻将区划所述多个半导体元件的区划区域中的所述电介质膜除去，由此形成槽形状的划片区域；和划片工序，对所述划片区域进行划片，由此切割出所述多个半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
