[发明专利]用于在碳化硅上形成石墨烯层的方法有效
| 申请号： | 201480056975.4 | 申请日： | 2014-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105745173B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 弗兰切斯卡·亚科皮;穆赫辛·艾哈迈德;本杰明·沃恩·坎宁 | 申请（专利权）人： | 悉尼科技大学 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/02;C01B32/184;C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种用于形成石墨烯的方法，所述方法包括：将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及在使所述至少一种第一金属与碳化硅中的硅反应的条件下加热SiC及第一金属和第二金属，以形成碳和至少一种稳定的硅化物，并且碳在至少一种稳定的硅化物中及在至少一种第二金属中的相应溶解度足够低，使得通过硅化物反应产生的碳在SiC上形成石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 形成 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成石墨烯的方法，包括：将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及在使所述至少一种第一金属与所述碳化硅中的硅反应的条件下加热所述SiC及所述第一金属和第二金属，以形成元素碳和至少一种稳定的硅化物，并且所述碳在所述至少一种稳定的硅化物中以及在所述至少一种第二金属中的相应溶解度足够低，使得通过所述硅化物反应生成的所述碳形成在所述SiC与通过所述硅化物和所述至少两种金属的任何剩余部分构成的金属层之间的石墨烯层。
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