[发明专利]用于从包含低介电常数介电材料和铜的半导体设备基板选择性移除金属硬遮罩和其它残留物的方法和组合物在审
| 申请号： | 201480055154.9 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105874568A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | H·崔 | 申请（专利权）人： | EKC技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了具有2至14范围内的pH的含水移除组合物和用于从半导体基板相对于低介电常数材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或者Ti或W的合金组成的蚀刻遮罩的方法，所述半导体基板包含所述低介电常数材料，所述低介电常数材料在其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或者Ti或W的合金的蚀刻遮罩，其中所述移除组合物包含至少一种氧化剂和羧酸盐化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 包含 介电常数 材料 半导体设备 选择性 金属 硬遮罩 其它 残留物 方法 组合 | ||
【主权项】：
一种具有2至14范围内的pH的移除组合物，所述移除组合物用于从半导体设备基板相对于低介电常数介电材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W以及Ti和W的合金组成的蚀刻遮罩，所述半导体设备基板包含所述低介电常数介电材料，所述低介电常数介电材料在其上具有TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W或者Ti或W的合金的蚀刻遮罩，其中所述移除组合物包含：(a)0.1重量％至90重量％的氧化剂；(b)0.0001重量％至50重量％的羧酸铵；以及(c)补足100重量％的所述移除组合物的剩余部分，包括去离子水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EKC技术公司，未经EKC技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480055154.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车用低温LNG卧式焊接绝热气瓶气检检测装置
- 下一篇：一种阀门试压装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
