[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201480054008.4 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN105594303B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 浅田浩平;田中慎也;林直树 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;C08G61/12;H01L51/50;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件,是具有阳极、阴极、设于阳极与阴极之间的发光层、和密封层的发光元件,在密封层的形成后进行的退火处理的温度TA(℃)、和发光层中含有1重量%以上的材料中玻璃化转变温度最低的材料的玻璃化转变温度TG(℃)满足下述式(1),退火处理前的施加电压5V时的电流密度IA、和退火处理后的施加电压5V时的电流密度IB满足下述式(2)。TA<TG(1)0.50×IA≤IB≤0.95×IA(2)。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,具有阳极、阴极、设于阳极与阴极之间的发光层、和密封层,所述发光层含有以下述式Ir‑1~Ir‑3中的任一式表示的铱络合物和以下述式(H‑2)表示的化合物,在密封层的形成后进行的退火处理的温度TA、和发光层中含有1重量%以上的材料中玻璃化转变温度最低的材料的玻璃化转变温度TG满足下述式(1),退火处理前的施加电压5V时的电流密度IA、和退火处理后的施加电压5V时的电流密度IB满足下述式(2),TA<TG (1)0.50×IA≤IB≤0.95×IA (2),所述TA和TG的单位为℃,式中,RD1~RD8及RD11~RD20各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1价的杂环基或卤素原子,这些基团具有取代基或不具有取代基,‑AD1‑‑‑AD2‑表示阴离子性的2齿配体,AD1及AD2各自独立地表示与铱原子键合的碳原子、氧原子或氮原子,nD1表示1、2或3,nD2表示1或2,在以式Ir‑1表示的铱络合物中,RD1~RD8的至少1个为以式(D‑A)表示的基团,在以式Ir‑2表示的铱络合物中,RD11~RD20的至少1个为以式(D‑A)表示的基团,在以式Ir‑3表示的铱络合物中,选自RD1~RD8及RD11~RD20中的至少1个为以式(D‑A)表示的基团,式(D‑A)中,mDA1、mDA2及mDA3各自独立地表示0以上的整数,GDA1表示氮原子、芳香族烃基或杂环基,这些基团具有或不具有取代基,ArDA1、ArDA2及ArDA3各自独立地表示亚芳基或2价的杂环基,这些基团具有或不具有取代基,在存在有多个ArDA1、ArDA2及ArDA3的情况下,它们相同或不同,TDA2及TDA3各自独立地表示芳基或1价的杂环基,这些基团具有或不具有取代基,式(H‑2)中,ArH1及ArH2各自独立地表示芳基或1价的杂环基,这些基团具有或不具有取代基,nH3表示1,LH1为式(A‑32)~(A‑35)中任一式所示的基团,式(A‑32)~(A‑35)中,R表示氢原子、烷基、芳基或1价的杂环基,存在的多个R相同或不同。
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