[发明专利]聚酰亚胺前体、由其得到的聚酰亚胺树脂膜、以及含有其的显示元件、光学元件、受光元件、触摸面板、电路基板、有机EL显示器、及有机EL元件以及滤色片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480052871.6 申请日: 2014-09-18
公开(公告)号: CN105593269B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 胁田润史;有本由香里;富川真佐夫 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;G02B5/20;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 杨宏军,焦成美
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题在于提供一种聚酰亚胺前体,所述聚酰亚胺前体经固化后的膜具有优异的光透过性、兼备低双折射性和低线性热膨胀。本发明的聚酰亚胺前体,至少含有式(1)表示的酸二酐残基、式(2)表示的二胺残基、以及式(3)表示的二胺残基中的1种以上,其中,式(1)表示的酸二酐残基相对于聚酰亚胺前体中酸二酐残基的总量而言为50摩尔%以上,式(2)表示的二胺残基相对于聚酰亚胺前体中二胺残基的总量而言为50摩尔%以上,式(3)表示的二胺残基相对于聚酰亚胺前体中二胺残基的总量而言为15摩尔%以下。
搜索关键词: 聚酰亚胺 得到 树脂 以及 含有 显示 元件 光学 触摸 面板 路基 有机 el 显示器 滤色片
【主权项】:
一种聚酰亚胺前体,至少含有式(1)表示的酸二酐残基、式(2)表示的二胺残基、以及式(3)表示的二胺残基中的1种以上,相对于聚酰亚胺前体中酸二酐残基的总量,式(1)表示的酸二酐残基为50摩尔%以上,相对于聚酰亚胺前体中二胺残基的总量,式(2)表示的二胺残基为50摩尔%以上,相对于聚酰亚胺前体中二胺残基的总量,式(3)表示的二胺残基为15摩尔%以下,式(3)中的R1~R8分别独立地选自氢、烷基、环烷基、杂环基、链烯基、环烯基、烷氧基、芳醚基、芳基、卤代烷基、氰基及甲硅烷基,它们可以进一步具有取代基,另外,彼此相邻的基团可以键合而形成稠环结构,式(3)中的A1及A2可以相同也可以不同,为由芳香族环、脂肪族环、链状烃基或者它们的组合形成的结构,或者为由它们与选自酰胺基、酯基、醚基、亚烷基、氧化烯基、亚乙烯基及卤代亚烷基中的1种以上的基团的组合形成的结构。
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