[发明专利]半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 201480052751.6 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105684125A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | S·B·塔帕;赵明;P·施托克;N·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40;C30B15/36;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶片以及一种生产该半导体晶片的方法。所述半导体晶片包含单晶硅衬底，该单晶硅衬底具有上表面和覆盖该上表面的堆叠层，所述堆叠层包含：覆盖单晶硅衬底的上表面的AlN成核层，其中该单晶硅衬底的上表面的晶格取向相对于{111}-平面是取向偏离的，该上表面的法线相对于<111>-方向，朝向<11-2>-方向的倾斜的角度θ不小于0.3°且不大于6°，所述倾斜的方位角公差是±0.1°；以及覆盖AlN成核层并且包含一个或多个AlxGa1-xN层的AlGaN缓冲层，其中0＜x＜1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片，其包含具有上表面的单晶硅衬底和覆盖所述上表面的堆叠层，所述堆叠层包含：覆盖所述单晶硅衬底的上表面的AlN成核层，其中该单晶硅衬底的上表面的晶格取向相对于{111}‑平面是取向偏离的，该上表面的法线相对于<111>‑方向朝向<11‑2>方向倾斜的角度θ不小于0.3°且不大于6°，所述倾斜的方位角公差是±0.1°；以及AlGaN缓冲层，所述AlGaN缓冲层覆盖所述AlN成核层且包含一个或多个AlxGa1‑xN层，其中0＜x＜1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
