[发明专利]形成具有经改善的平坦化均匀性的半导体装置与结构的方法及所得的结构与半导体装置

摘要

本发明揭示例如相变存储器装置的半导体装置及结构，其包含耦合到外围区域中的外围导电接触件的外围导电垫。阵列区域可包含耦合到导电线的存储器单元。形成此类半导体装置及结构的方法包含从外围区域移除存储器单元材料且此后从所述阵列区域选择性地移除所述存储器单元材料的部分以界定所述阵列区域中的个别存储器单元。额外方法包含使用外围导电垫及/或所述外围导电垫上方的间隔物材料作为平坦化停止材料而平坦化所述结构。又进一步方法包含部分界定所述阵列区域中的存储器单元，此后形成外围导电接触件，且此后完全界定所述存储器单元。

主权项

1.一种形成半导体装置的方法，其包括：在半导体装置结构的外围区域中及阵列区域中形成存储器单元材料；从所述外围区域移除所述存储器单元材料；及在从所述外围区域移除所述存储器单元材料之后：从所述阵列区域选择性地移除所述存储器单元材料的部分以界定所述阵列区域中的个别存储器单元，其包含：形成在第一方向上延伸的第一阵列沟槽；及形成在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二阵列沟槽；在所述外围区域中形成电介质填充物材料；及平坦化所述外围区域中的所述电介质填充物材料。