[发明专利]含有银纳米导线的组合物的图形化

摘要

本发明涉及制备层结构的方法，包括以下工艺步骤：·i)用至少含有银纳米导线和溶剂的组合物涂覆基材(2)；·ii)至少部分地除去溶剂，从而得到被导电层涂覆的基材，所述导电层至少含有银纳米导线；·iii)使得导电层的选择区域与蚀刻组合物，从而降低在这些选择区域中的导电层的电导率，其中蚀刻组合物包含能释放氯、溴或碘的有机化合物，含有次氯酸根的化合物，含有次溴酸根的化合物，或至少两种这些化合物的混合物。本发明还涉及可通过此方法获得的层结构，层结构，层结构的用途，电子元件，以及有机化合物的用途。

主权项

1.一种制备层结构的方法，包括以下工艺步骤：i)用至少含有银纳米导线和溶剂的组合物涂覆基材；ii)至少部分地除去溶剂，从而得到被导电层涂覆的基材，所述导电层至少含有银纳米导线；iii)使得导电层的选择区域与蚀刻组合物接触，从而降低在这些选择区域中的导电层的电导率，其中蚀刻组合物包含能释放氯、溴或碘的有机化合物，其中能释放氯、溴或碘的有机化合物包含至少一个结构单元(II)：其中：‑Hal是选自氯、溴或碘的卤素，‑Y是选自N、S和P，和‑X1和X2是相同或不同的，并且各自表示卤素、碳原子或硫原子。