[发明专利]覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法有效

专利信息
申请号: 201480050972.X 申请日: 2014-09-16
公开(公告)号: CN105555886A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 尾崎祐树;佐竹升;河户俊二;小林政一 申请(专利权)人: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C08J7/04;C09D183/14;C09D183/16
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人: 刘淼
地址: 卢森堡*** 国省代码: 卢森堡;LU
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摘要: 发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。一种覆膜形成用组合物,其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂;以及一种覆膜形成方法,其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
搜索关键词: 形成 组合 以及 使用 方法
【主权项】:
一种覆膜形成用组合物,其特征在于包含由下述通式(1)表示的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂,式中,R11分别独立地为从由氢原子、烷基、烯基、环烷基、芳基、烷氧基、氨基以及烷基甲硅烷基组成的组中选出的基团,R11为除了氢原子以外的基团时,也可被一个或者一个以上的从由卤素原子、烷基、烷氧基、氨基、甲硅烷基以及烷基甲硅烷基组成的组中选出的基团取代,式中的全部的R11中所含的氨基以及烷氧基的总数是R11的总数的5%以下,R12各自独立地为碳原子数1~8的烃基或者‑R13‑N‑R142,此处,R13为碳原子数1~5的烃基,R14分别独立地为氢或者碳原子数1~3的烃基。
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