[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480049773.7 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105531407B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/12;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了贯穿螺旋位错、贯穿刃型位错、微管缺陷、基底面位错和层叠缺陷的密度降低的SiC单晶以及这样的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 单晶生长 生长面 制造 晶种基板 螺旋位错 密度降低 刃型位错 溶液接触 温度降低 温度梯度 基底面 贯穿 晶种 微管 位错 生长 | ||
【主权项】：
SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用使所述{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
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