[发明专利]承载器有效
| 申请号： | 201480047846.9 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105493261B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 小林文弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 作为用于接收主轴(20)的凹部的轴承(12)设置在承载器(10)的下表面(10B)。轴承(12)具有从下表面(10B)朝向上表面(10A)渐缩的锥形形状。在轴承(12)的侧壁(12A)形成在水平方向上比轴承(12)与主轴(20)之间的嵌合面(12X)靠轴承(12)的外侧的空隙(12B)。结果，能够抑制承载器的轴承与主轴之间的嵌合力的降低，并且还能够抑制承载器的温度在轴承附近降低。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 | ||
【主权项】：
一种承载器，其具有用于载置晶圆的上表面以及设在所述上表面的相反侧的下表面，所述承载器被构造成以沿竖直方向延伸的主轴为中心地转动，其中由用于接收所述主轴的凹部形成的轴承部设在所述下表面，所述轴承部具有从所述下表面朝向所述上表面顶端变细的形状，在所述轴承部的侧壁形成如下空隙：该空隙在与所述竖直方向垂直的水平方向上从所述轴承部与所述主轴之间的嵌合面朝向所述轴承部的外侧伸出，所述空隙形成在所述轴承部的最上端，所述空隙在所述水平方向上伸出到比设在所述轴承部的最下端的开口部分靠所述轴承部的外侧的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
