[发明专利]气体传感器、气体传感器的制造方法、以及气体浓度的检测方法在审

专利信息
申请号: 201480047508.5 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN105556295A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 中村和敬 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;C04B35/00;G01N27/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 作为气体传感器的湿度传感器具备:由以NiO和ZnO的固溶体为主成分的烧结体形成的p型半导体层(1);和以ZnO及TiO2之中的至少任一方为主成分且形成在p型半导体层(1)的表面的n型半导体层(2),p型半导体层(1)中Ni与Zn的摩尔比率Ni/Zn为6/4以上且8/2以下。n型半导体层(2)通过溅射处理制作,或烧成在要成为p型半导体层(1)的未加工层叠体上层叠要成为n型半导体层(2)的生片而成的层叠结构体来制作。将p型半导体层作为正极侧,将n型半导体层作为负极侧,脉冲状地间歇施加电压,基于在所述电压施加时测量的电流值来检测湿度。由此实现特性、高温稳定性良好且耐久性卓越的具有高可靠性的高精度的pn结型的气体传感器和其制造方法及气体浓度的检测方法。
搜索关键词: 气体 传感器 制造 方法 以及 浓度 检测
【主权项】:
一种气体传感器,其特征在于,具备:p型半导体层,其由以NiO和ZnO的固溶体为主成分的烧结体来形成;和n型半导体层,其以ZnO以及TiO2之中的至少任意一方为主成分,且被形成在所述p型半导体层的表面,所述p型半导体层中,Ni与Zn的摩尔比率Ni/Zn为6/4以上且8/2以下。
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