[发明专利]微电路与天线集成耦合的电子实体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480047202.X 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN105493108B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: F·洛奈 申请(专利权)人: 欧贝特科技公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 郭思宇
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 一种电子实体,包括由支撑膜构成的模块30A和主体30B,支撑膜的称为内表面的一面上带有微电路31和第一耦合线圈32;主体具有空腔,在空腔中固定所述模块;支撑膜的称为外表面的一面至少大致沿着所述主体的称为上表面的一面伸展;主体还包含天线33和第二耦合线圈35,第二耦合线圈连接到该天线并用于通过与第一耦合线圈进行电磁耦合而与微电路耦合;所述第二耦合线圈(也可以适用于天线和第一耦合线圈)的厚度至多几个微米,所述第二耦合线圈所处平面距主体的上表面的距离小于其距主体上表面的对立面的距离的一半。
搜索关键词: 电路 天线 集成 耦合 电子 实体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子装置,包括由支撑膜构成的模块(30A、40A、50A、60A)和主体(30B、40B、50B、60B);支撑膜的称为内表面的一面上带有微电路(31、41、51、61)和第一耦合线圈(32、42、52、62);主体具有空腔,在空腔中固定所述模块;支撑膜的称为外表面的一面至少大致沿着所述主体的称为上表面的一面伸展;主体还包含天线(33、43、53、63)和第二耦合线圈(35、45、55、65),第二耦合线圈连接到该天线并用于通过与第一耦合线圈进行电磁耦合而与微电路耦合;所述第二耦合线圈的厚度至多几个微米,所述第二耦合线圈所处平面距主体的上表面的距离小于距主体上表面的对立面的距离的一半。
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