[发明专利]具有增强的热均匀性特征的改良晶圆载体有效
申请号: | 201480043562.2 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN105453223B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 埃里克·阿莫;桑迪普·克利希南;亚历克斯·张;博扬·米特洛维奇;亚历山大·古雷利 | 申请(专利权)人: | 维易科仪器有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/324 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶圆载体组件,用在通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶圆上生长外延层的系统中,晶圆载体组件包括关于中心轴线对称形成的晶圆载体主体,其包括垂直于所述中心轴线、大体为平面的顶面,和平行于顶面、为平面的底面。至少一个晶圆保持袋从顶面凹陷在晶圆载体主体中。至少一个晶圆保持袋中的每一个包括底表面和周缘壁表面,周缘壁表面围绕底表面并界定那个晶圆保持袋的周缘。至少一个热控制特征包括在晶圆载体主体中形成的内部空腔或孔隙,其由晶圆载体主体的内表面界定。 | ||
搜索关键词: | 具有 增强 均匀 特征 改良 载体 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆载体组件,用在通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶圆上生长外延层的系统中,所述晶圆载体组件包括:关于中心轴线对称形成的晶圆载体主体,包括垂直于所述中心轴线、大体为平面的顶面,和平行于所述顶面、为平面的底面;在所述晶圆载体主体中的至少一个晶圆保持区,至少一个晶圆保持区中的每一个包括穿过所述晶圆载体主体的穿孔,所述穿孔从所述顶面延伸穿过所述底面,并且所述穿孔由所述晶圆载体主体的内周缘表面界定,所述晶圆保持区还包括凹陷在所述顶面之下并沿着所述内周缘表面的支架,所述支架适于在绕所述中心轴线旋转时将晶圆保持在所述晶圆保持区内;和至少一个热控制特征,其包括在所述晶圆载体主体中形成的内部空腔,所述内部空腔由所述内周缘表面界定,其中所述至少一个热控制特征是在所有侧部被所述晶圆载体主体封闭的内部空腔,并且其中,所述内部空腔的热导率低于所述晶圆载体主体的热导率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维易科仪器有限公司,未经维易科仪器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480043562.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造