[发明专利]用于过程监视及良率管理的所计算电性能度量

摘要

本文中呈现基于最终装置性能的预测而对半导体装置制造的过程控制及良率管理的方法及系统。基于一或多个装置性能模型而计算所估计装置性能度量值，所述一或多个装置性能模型将能够在过程期间测量的参数值与最终装置性能度量联系在一起。在一些实例中，装置性能度量的所估计值是基于非成品多层晶片的至少一个结构特性及至少一个带结构特性。在一些实例中，对正进行处理的装置是否将不能通过最终装置性能测试的预测是基于最终装置性能度量的所估计值与所规定值之间的差异。在一些实例中，至少部分地基于所述差异而确定一或多个后续过程步骤中的调整。

主权项

1.一种测量方法，其包括：用照明光照明非成品多层半导体晶片的测量位点；在将所述照明光入射至所述半导体晶片之前偏振所述照明光；响应于提供至所述半导体晶片的经偏振的照明光而分析从所述半导体晶片的所述测量位点收集的光；用光谱仪检测经分析的光；从由所述光谱仪检测的所述经分析的光产生所述非成品多层半导体晶片的所述测量位点的经测量光谱响应，所述经测量光谱响应包括测量数据；至少部分地基于所述测量数据而确定所述非成品多层半导体晶片的结构特性；至少部分地基于所述测量数据而确定与所述非成品多层半导体晶片的层相关联的色散度量；至少部分地基于所述色散度量而确定指示所述非成品多层半导体晶片的一部分的电性能的带结构特性；至少部分地基于所述带结构特性及所述结构特性而确定对所述非成品多层半导体晶片的一或多个装置性能度量的估计，仿佛所述非成品多层半导体晶片为成品一般；基于所述一或多个装置性能度量的所估计值与一或多个对应的所规定最终装置性能值之间的差异而确定一或多个后续过程步骤中的调整，其中所述调整包括后续过程步骤的目标标称过程值的改变；及将所述调整的指示传递到制作工具以借助所述调整执行所述后续过程步骤。