[发明专利]在静态随机存取存储器重置操作期间用于对静态随机存取存储器位单元加电压或电流偏压的电路及相关系统及方法有效
| 申请号： | 201480040983.X | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105408959B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 柴家明;萨坦德拉·库玛·莫亚 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C11/417;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示在静态随机存取存储器SRAM重置操作期间用于电压或电流偏压SRAM位单元的电路。还揭示相关系统及方法。为了在单个重置操作中重置多个SRAM位单元，偏压电路经设置且耦合到所述多个SRAM位单元。偏压电路经配置以在提供到SRAM位单元的功率骤降到在操作功率电平以下的骤降功率电平之后在重置操作期间将电压或电流偏压施加到SRAM位单元。在SRAM位单元的功率恢复到操作功率电平时施加偏压，由此迫使所述SRAM位单元进入所要状态。以此方式，在无需来自重置电路的增强的驱动强度的情况下且在无需提供专用SRAM位单元的情况下，SRAM位单元可在单个重置操作中得以重置。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 重置 操作 期间 用于 单元 电压 电流 偏压 电路 相关 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对静态随机存取存储器SRAM中的多个SRAM位单元执行重置操作的数据输入项有效电路，其包括：功率骤降电路，其经配置以响应于接收到重置输入而将通过电力供应器供应到SRAM中的多个SRAM位单元的功率从操作功率电平骤降到低于所述操作功率电平的骤降功率电平；以及偏压电路，其经配置以响应于接收到所述重置输入而将电压或电流偏压施加到所述多个SRAM位单元；所述功率骤降电路经进一步配置以在通过所述偏压电路将所述电压或电流偏压施加到所述多个SRAM位单元以使得所述多个SRAM位单元重置为所要状态时将通过所述电力供应器供应到所述多个SRAM位单元的所述功率从所述骤降功率电平恢复到所述操作功率电平。
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