[发明专利]超小型发光二极管电极组件及其制造方法

摘要

本发明涉及超小型发光二极管电极组件及其制造方法，更详细地，具有如下优点。第一，独立制造的超小型发光二极管元件以无不良的方式与互不相同的两个电极整列连接，由此可克服使纳米单位的超小型发光二极管元件以直立的方式与互不相同的电极相结合的难题。并且，使得与发光二极管元件相连接的电极设于相同的平面上，由此可提高发光二极管元件的光提取效率。进而，可调整与互不相同的电极相连接的超小型发光二极管元件的数量。第二，由于超小型发光二极管元件不以直立的状态与上部电极、下部电极三维结合，而是以水平状态与存在于相同的平面上的互不相同的电极相结合，由此可具有非常优秀的光提取效率，并且通过在发光二极管元件的表面形成单独的层来防止发光二极管元件和电极之间发生短路，由此可使发光二极管电极组件的不良率最小化，而且通过使多个发光二极管元件与电极相连接来防备万一有可能发生的发光二极管元件的不良，由此可维持超小型发光二极管电极组件固有的功能。

主权项

一种超小型发光二极管电极组件的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，向电极线投入包括多个超小型发光二极管元件的溶液，上述电极线包括底座基板、第一电极及第二电极，上述第一电极形成于上述底座基板上，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面上；以及步骤(2)，向上述电极线施加电源，来使多个超小型发光二极管元件自动整列，从而使多个超小型发光二极管元件与上述第一电极和第二电极这双方均连接，上述超小型发光二极管元件包括：第一电极层；第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜至少覆盖活性层部分的整个外部面，上述绝缘覆膜用于防止因超小型发光二极管元件的活性层和电极线相接触而发生电路短路，上述第一电极的宽度(X)、第二电极的宽度(Y)、第一电极和与上述第一电极相邻的第二电极之间的间距(Z)及超小型发光二极管元件的长度(H)满足如下关系式，关系式1：0.5Z≤H＜X+Y+2Z，其中，100nm＜X≤10μm，100nm＜Y≤10μm，100nm＜Z≤10μm。