[发明专利]用于形成晶片的背面处理的对准特征的装置和方法有效
| 申请号： | 201480039409.2 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105378910B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | C·H·查奥;W·D·索耶;T·K·努南 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在晶片制造工艺中形成对准特征用于背面晶片处理的方法，该方法涉及：从晶片的顶侧形成进入但不完全通过晶片的沟槽；在沟槽的表面上形成对比材料；和研磨晶片的底侧以暴露沟槽，其中，衬垫暴露沟槽的对比材料提供用于精确对准晶片的对准参考，用于晶片的背面侧处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 对比材料 对准特征 对准 晶片处理 晶片制造 研磨晶片 暴露 顶侧 参考 | ||
【主权项】：
一种用于在晶片制造工艺中形成对准特征用于背面晶片处理的方法，该方法包括：从晶片的顶侧形成进入但不完全通过晶片的沟槽；在沟槽的表面上形成对比材料；研磨晶片的底侧以暴露沟槽，其中，衬垫于暴露沟槽上的对比材料对于晶片的背面处理提供用于精确对准晶片的对准参考；和在晶片加工机中对准晶片，用于晶片的背面侧处理，其中晶片加工机包括对准工具，并且其中暴露沟槽的对比材料是由对准工具用于对准晶片的对准参考。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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