[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480038561.9 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105378904B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;黑川敦;西明恒和 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度约5×1015cm‑3，膜厚约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度约4.5×1015cm‑3，膜厚约100nm，层浓度4.5×1010cm‑2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度约5×1015cm‑3，膜厚约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm‑2低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：集电极层；基极层，其形成在上述集电极层上；以及发射极层，其形成在上述基极层上，上述集电极层具备：第一导电型半导体层；和至少一层的第二导电型半导体层，上述第二导电型半导体层的层浓度的总和被设定为比1×1011cm‑2低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
