[发明专利]高相干性半导体光源在审

专利信息
申请号: 201480038156.7 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN105359359A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 克里斯托斯·T·桑蒂斯;斯科特·T·斯特格;阿姆农·亚里夫 申请(专利权)人: 加州理工学院
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08;G02B6/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 激光谐振器包括放大与谐振器的光学增益相关联的光的有源材料,和邻近有源材料设置的无源材料。谐振器在一个或多个光学模式中振荡,所述一个或多个光学模式中的每个光学模式对应于特定空间能量分布和谐振频率。基于无源材料的特性,对于对应于光学模式中的至少一个的特定空间能量分布,光能的优势部分远离有源材料进行分布。无源材料可包括存储远离有源材料分布的优势光能部分的低损耗材料,和设置在低损耗材料和有源材料之间的缓冲材料,其控制存储在低损耗材料中的光能与在有源材料中的光能的部分的比率。
搜索关键词: 相干性 半导体 光源
【主权项】:
一种用于激光器件的谐振器,所述谐振器包括:至少一个有源材料,所述至少一个有源材料用于放大与所述谐振器的光学增益相关联的光;以及一个或多个无源材料,所述一个或多个无源材料被设置成邻近所述至少一个有源材料,其中所述谐振器在一个或多个光学模式中振荡,所述一个或多个光学模式中的每个对应于特定空间能量分布和谐振频率,并且其中,基于所述一个或多个无源材料的特性,对于对应于所述一个或多个光学模式中的至少一个光学模式的所述特定空间能量分布,光能的优势部分远离所述有源材料进行分布。
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