[发明专利]光伏装置及制作方法有效

专利信息
申请号: 201480037816.X 申请日: 2014-05-02
公开(公告)号: CN105765719B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: H·A·布莱德斯;K·W·安德雷尼;W·H·休伯;E·T·欣纳斯;J·J·香;Y·梁;J·崔 申请(专利权)人: 第一阳光公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0272;H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/073;H01L31/18;H01L21/02;C23C14/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;张懿
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提出一种光伏装置。光伏装置包含层堆栈;以及设置在层堆栈上的吸收层。吸收层包括硒,其中硒的原子浓度跨吸收层的厚度变化。光伏装置基本上没有硫化镉层。
搜索关键词: 装置 制作方法
【主权项】:
1.一种光伏装置,包括:透明层堆栈;以及设置在所述透明层堆栈上的吸收层,所述吸收层具有介于所述吸收层的前界面和所述吸收层的后界面之间的厚度,其中:与所述吸收层的所述后界面相比,所述吸收层的所述前界面更接近于所述透明层堆栈,所述吸收层包括镉、硒和碲的化合物,硒的原子浓度跨所述吸收层的所述厚度而变化,相对于所述吸收层的所述后界面,所述吸收层的所述前界面处的硒的所述原子浓度更大,所述吸收层的所述前界面处的所述吸收层的带隙低于所述吸收层的所述后界面处的所述吸收层的带隙,所述吸收层包括第一区域和第二区域,所述第一区域相对于所述第二区域设置为接近所述透明层堆栈,所述第一区域具有介于200纳米到1500纳米之间的厚度,所述第二区域具有介于200纳米到1500纳米之间的厚度,以及所述第一区域中的硒的平均原子浓度与所述第二区域中的硒的平均原子浓度的比率大于10。
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