[发明专利]用于音频接地电路的保护电路和方法

摘要

在所描述的实例中，电荷泵(2)由第一参考电压(VDD)供电且在控制导体(3)上产生控制电压信号(VCP)。接地开关电路(15)包含耗尽模式晶体管(MP 1)，所述耗尽模式晶体管(MP 1)具有阱区(4‑1)、耦合到输出导体(6‑1)的源极、经耦合以接收所述控制电压信号(VCP)的栅极和耦合到第二参考电压(GND)的漏极。保护电路(17‑1)包含第一和第二耗尽模式保护晶体管(MP3‑1、MP4‑1)，其具有耦合到所述控制电压信号(VCP)的相应栅极且具有彼此耦合的相应源极。所述第一耗尽模式保护晶体管(MP3‑1)具有耦合到所述阱区(4‑1)的漏极，并且所述第二耗尽模式保护晶体管(MP4‑1)具有耦合到所述输出导体(6‑1)上的输出信号(VQUT1)的漏极。

主权项

1.一种自接地电路，其包括：信号通道，其用于在输出导体上传导输出信号；电荷泵，其由第一参考电压供电以在控制导体上产生控制电压信号，所述控制电压信号在所述第一参考电压处在第一电平的情况下具有第一值且在所述第一参考电压处在第二电平的情况下具有第二值，其中所述第一电平低于所述第二电平，且所述第一值低于所述第二值；接地开关电路，其包含耗尽模式晶体管，所述耗尽模式晶体管具有耦合到所述输出导体的源极、经耦合以接收所述控制电压信号的栅极以及耦合到第二参考电压的漏极；所述耗尽模式晶体管具有第一阱区、包含所述源极与所述第一阱区之间的PN结的第一寄生二极管、包含所述漏极与所述第一阱区之间的PN结的第二寄生二极管以及包含所述第一阱区与邻接所述第一阱区的衬底之间的PN结的第三寄生二极管；以及保护电路，其包含：第一和第二耗尽模式保护晶体管，其具有相应第二阱区、耦合到所述控制导体上的所述控制电压信号的相应栅极且具有彼此耦合且耦合到所述第二阱区中至少一者的相应源极，其中所述第一耗尽模式保护晶体管具有耦合到所述第一阱区的漏极，并且所述第二耗尽模式保护晶体管具有耦合到所述输出导体上的所述输出信号的漏极；以及电平移位电路，其耦合在所述第一阱区与所述控制导体之间。