[发明专利]用于制造太阳能电池之光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法有效
| 申请号： | 201480034058.6 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105308759B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李豪燮;尹锡炫;尹锡喜;朴银珠 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造太阳能电池光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法，更具体而言，本发明涉及一种用于制造太阳能电池光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法，其中核‑壳结构的纳米颗粒，与含锡(Sn)的双金属或金属间化合物的金属纳米颗粒，或含锡(Sn)硫属化物纳米颗粒分散在溶剂中，所述核‑壳结构由含有含铜(Cu)硫属化物的核和含有含锌(Zn)硫属化物的壳组成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 太阳能电池 光吸收 组合 使用 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造太阳能电池的光吸收层的墨组合物，其包含分散在溶剂中的核‑壳结构纳米颗粒；和含锡(Sn)的双金属或金属间化合物的金属纳米颗粒，或含锡(Sn)硫属化物纳米颗粒，所述核‑壳结构纳米颗粒包括含有含铜(Cu)硫属化物的核和含有含锌(Zn)硫属化物的壳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
