[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201480032559.0 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105308754A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 八尾典明;阿部和 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;李炬 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：设置于绝缘膜(7)上的、由第一导电型的薄膜半导体层(14)构成的阴极区域(14A)；在绝缘膜上以与阴极区域构成pn结的方式设置的、由第二导电型的薄膜半导体层(15)构成的阳极区域(15A)；覆盖阴极区域(14A)和阳极区域(15A)的层间绝缘膜(16)；设置于层间绝缘膜上、经由贯穿层间绝缘膜的第一接触孔(18)与阴极区域连接的阴极电极(21)；和设置于层间绝缘膜上、经由贯穿层间绝缘膜的第二接触孔(19)与阳极区域连接的阳极电极(22)，从靠近pn结的界面(23)一侧的第一接触孔的端部至界面的电流路径的长度和从靠近界面一侧的第二接触孔的端部至界面的电流路径的长度中的、阴极区域和上述阳极区域中方块电阻较大的区域的电流路径的长度较短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：设置于绝缘膜上的、由第一导电型的薄膜半导体层构成的阴极区域；在所述绝缘膜上以与所述阴极区域构成pn结的方式设置的、由第二导电型的薄膜半导体层构成的阳极区域；覆盖所述阴极区域和所述阳极区域的层间绝缘膜；设置于所述层间绝缘膜上的、经由贯穿所述层间绝缘膜的第一接触孔与所述阴极区域连接的阴极电极；和设置于所述层间绝缘膜上的、经由贯穿所述层间绝缘膜的第二接触孔与所述阳极区域连接的阳极电极，从靠近所述pn结的界面一侧的所述第一接触孔的端部至所述界面的电流路径的长度和从靠近所述界面一侧的所述第二接触孔的端部至所述界面的电流路径的长度中的、所述阴极区域和所述阳极区域中方块电阻较大的区域的电流路径的长度较短。
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