[发明专利]具有均匀工作特性的MEMS数字可变电容器的非对称阵列有效
| 申请号： | 201480032389.6 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105263853B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;H01G5/16;H01G5/38;H01H59/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人： | 谢攀,刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明一般性地涉及MEMS DVC。MEMS DVC具有RF电极并且形成于CMOS衬底之上。为了降低RF信号中的噪声，连接在波形控制器和MEMS元件的电极之间的多晶硅电阻器可以由被隔离的p阱或被隔离的n阱环绕。被隔离的阱耦合到被布置在多晶硅电阻器和MEMS元件之间的RF接地屏蔽层。由于存在环绕多晶硅电阻器的被隔离的阱，衬底电阻不影响MEMS DVC中的每个MEMS元件的动态特性，并且RF信号中的噪声被降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 工作 特性 mems 数字 可变电容器 对称 阵列 | ||
【主权项】：
一种MEMS数字可变电容器，包括：MEMS器件，其布置在衬底之上，所述MEMS器件具有一个或更多个电极；第一多晶硅电阻器，其耦合到所述一个或更多个电极中的至少一个；n阱，其环绕所述第一多晶硅电阻器；和RF接地屏蔽层，其耦合到所述n阱。
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