[发明专利]具有可活动的栅极的场效应晶体管红外传感器

摘要

本发明涉及一种由场效应晶体管构成的红外传感器（100），具有半导体衬底（117），该衬底具有漏极接点（110）和源极接点，其中，所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开。该传感器（100）还包括一个栅极单元（125），它关于通道区（105）可活动地构成并且设置在这个通道区上面，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元的形状和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）。

主权项

一种传感器（100）具有下面的特征：‑一个具有漏极接点（110）和源极接点的载体衬底（117），其中，所述漏极接点（110）通过通道区（105）与源极接点（115）分开；和‑一个栅极单元（125），它关于通道区（105）至少部分可活动地构成和设置，其中所述栅极单元（125）设计成，响应接收的电磁辐射（135）改变栅极单元（125）的形状（w，L）和/或栅极单元（125）的位置和/或栅极单元（125）的至少一部分（140）与通道区（105）的距离（d）。