[发明专利]沟槽屏蔽连接结型场效应晶体管

摘要

描述了一种具有栅极沟槽和屏蔽沟槽的屏蔽结型场效应晶体管(JFET)，屏蔽沟槽比栅极沟槽深且窄。栅极沟槽可以与屏蔽沟槽完全对准、部分地对准、或者与屏蔽沟槽间隔开。

主权项

一种屏蔽结型场效应晶体管(JFET)，所述屏蔽JFET包括：源极接触部，沿第一方向设置在源极电极之下的第一导电类型的沟道区域，所述沟道区域包括所述第一导电类型的一个或多个平面层，所述沟道区域具有沿所述第一方向间隔开的上部平面表面和下部平面表面；第一沟槽，所述第一沟槽具有：第一底表面，所述第一底表面沿所述第一方向位于所述上部平面表面与所述下部平面表面之间，所述第一底表面沿所述第一方向延伸，第一深度，所述第一深度沿所述第一方向从沟道层的所述上部平面表面朝向所述第一底表面延伸第一距离，进入所述沟道区域中，第一中心线，第一侧壁对，所述第一侧壁对沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此间隔开，所述第一侧壁对从所述第一沟槽的所述第一底表面向所述沟道区域的所述上部平面表面延伸；所述沟道区域中的第二导电类型的第一注入U型导电区，所述第一注入U型导电区包括：(1)沿所述第一沟槽的所述底表面延伸的第一部分；以及(2)沿所述侧壁对中的每一个侧壁从所述第一沟槽的所述第一底表面向所述沟道区域的所述上部平面表面延伸的第二部分；以及栅极接触部，所述栅极接触部设置在所述第一沟槽中，并且邻近所述第一沟槽的所述第一底表面；以及第二沟槽，所述第二沟槽具有：第二底表面，所述第二底表面沿所述第一方向位于所述上部平面表面与所述下部平面表面之间，所述第一底表面沿所述第一方向延伸，第二深度，所述第二深度沿所述第一方向从所述沟道层的所述上部平面表面朝向所述第二底表面延伸第二距离，进入所述沟道区域中，所述第二深度大于所述第一深度；第二中心线，第二侧壁对，所述第二侧壁对沿所述第二方向彼此间隔开，所述第二侧壁对(1)从所述第一沟槽的所述第二底表面朝向所述沟道区域的所述上部平面表面延伸，以及(2)至少部分地在所述第二沟槽的所述第二底表面与所述沟道区域的所述上部平面表面之间延伸；所述沟道区域中的所述第二导电类型的第二注入U型导电区，所述第二注入U型导电区包括：(1)沿第二U型沟槽的所述第二底表面延伸的第一部分；(2)沿所述第二侧壁对中的每一个侧壁至少部分地在所述第二沟槽的所述第二底表面与所述沟道区域的所述上部平面表面之间延伸的第二部分；以及屏蔽接触部，所述屏蔽接触部被设置成邻近所述第二沟槽的所述第二底表面。