[发明专利]用于在电子装置中金属化的铜合金阻挡层和覆盖层在审
| 申请号： | 201480031761.1 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105264669A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 孙树伟;D·弗朗索瓦-查尔斯;M·阿布阿夫;P·霍根;张起 | 申请（专利权）人： | H·C·施塔克公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王博 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在多个实施例中，诸如薄膜晶体管和/或触摸面板显示器的电子装置包括电极和/或互连，所述互连特征为：导体层，以及布置在导体层上方或下方的覆盖层和/或阻挡层，所述覆盖层和/或阻挡层包括Cu与选自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、Re、Os、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni组成的组合的一种或多种难熔金属元素的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 装置 金属化 铜合金 阻挡 覆盖层 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板，其包括硅或玻璃中的至少一种；以及电极，其包括：(i)布置在所述基板上的阻挡层，所述阻挡层包括Cu与选自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、Re、Os、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni组成的列表的一种或多种难熔金属元素的合金，以及(ii)布置在所述阻挡层上的导体层，所述导体层包括Cu、Ag、Al或Au中的至少一种。
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