[发明专利]单片CMOS-MEMS麦克风及制造方法在审
| 申请号： | 201480031553.1 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105324329A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | J·津恩;B·戴蒙德;J·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了用于制造CMOS-MEMS装置的系统和方法。局部防护层沉积在层式结构的顶表面上以覆盖电路区域。从层式结构的底侧实施第一局部蚀刻，以便在层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜之下的第一间隙。从层式结构的顶侧实施第二局部蚀刻，以便在MEMS区域内去除MEMS膜和MEMS背板之间的牺牲层的部分。第二局部蚀刻释放MEMS膜，从而MEMS膜可响应于压力而移动。沉积的局部防护层防止第二局部蚀刻蚀刻掉牺牲层的位于层式结构的电路区域内的一部分，且还防止第二局部蚀刻损坏CMOS电路部件。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 cmos mems 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造CMOS‑MEMS装置的方法，该方法包括：提供层式结构，该层式结构包括基板层，牺牲层，MEMS膜，其在所述层式结构的水平横截面的MEMS区域内定位在牺牲层和基板层之间，CMOS电路部件，其定位在所述层式结构的水平横截面的电路区域内，其中，所述电路区域和所述MEMS区域在所述层式结构的水平横截面上不重叠，和MEMS背板，其邻近牺牲层相反于MEMS膜定位；在所述层式结构的顶表面上沉积局部防护层，其中，所沉积的局部防护层覆盖所述层式结构的所述电路区域；从所述层式结构的底侧实施基板层的第一局部蚀刻，以在所述层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜之下的第一间隙；从所述层式结构的顶侧实施牺牲层的第二局部蚀刻，以在所述层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜和MEMS背板之间的第二间隙，其中，第二局部蚀刻释放MEMS膜，从而MEMS膜能够响应于压力而移动，且其中，所沉积的局部防护层防止第二局部蚀刻蚀刻掉位于所述层式结构的电路区域内的牺牲层部分，且防止损坏CMOS电路部件。
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