[发明专利]用于制造具有微米或纳米结构导电层的材料的方法在审

专利信息
申请号: 201480031180.8 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN105247697A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 吉莉安·M·布里亚克;塔特·C·豪格;S·M·易卜拉欣·拉菲亚;阿米特·K·捷夫蒂亚;艾哈迈德·I·阿卜杜勒拉赫曼;伊哈卜·乌达 申请(专利权)人: 沙特基础工业全球技术公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01B1/22;H01L31/0224;H01L51/42
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 谢攀;刘继富
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开了用于制造导电材料的方法。通过使用相同的材料和设备但是改变工艺条件或所使用的材料的量,所述方法能够被用于制造透明的、不透明的或反射性电极。所述方法能够包括:(a)提供包括第一表面和相对的第二表面的基底,其中,在第一表面的至少一部分上布置有微米或纳米结构体,并且其中,第一表面没有被预处理来增加微米或纳米结构体和基底之间的附着;(b)施加热以将基底表面加热到大于基底的玻璃化转变温度或维卡软化温度且小于基底的熔点的温度;(c)施加压力,使得基底和微米或纳米结构体被压在一起;和(d)移除压力以获得导电材料。
搜索关键词: 用于 制造 具有 微米 纳米 结构 导电 材料 方法
【主权项】:
一种用于制造透明的、不透明的、或反射性的电极的方法,所述方法包括:(a)提供包括第一表面和相对的第二表面的基底,其中,在所述第一表面的至少一部分上布置有微米或纳米结构体,并且其中,所述第一表面没有被预处理来增加所述微米或纳米结构体和所述基底之间的附着;(b)使用至少第一加热源或使用至少第一加热源和第二加热源向所述基底的第一表面或第二表面中任一个或者其两者施加热,使得所述微米或纳米结构体或者所述基底的第一表面被加热到大于所述基底的玻璃化转变温度或维卡软化温度且小于所述基底的熔点的温度;(c)使用至少第一压力源或使用第一压力源和第二压力源向所述基底的第一表面或第二表面中任一个、或者其两者施加足够量的压力,使得所述基底的第一表面和所述微米或纳米结构体被压在一起,以便形成附着到所述基底第一表面的导电层;和(d)移除所述第一压力源或者所述第一压力源和第二压力源以获得电极,其中,步骤(d)中的电极的方阻小于步骤(a)中的基底/微米或纳米结构体组合的方阻,并且其中,所述电极的透明度、不透明度或反射率取决于步骤(a)中沉积在所述基底的第一表面上的微米或纳米结构体的量。
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