[发明专利]稳定高迁移率的MOTFT和低温下的制备在审
| 申请号： | 201480030005.7 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105308753A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格;于尔根·穆佐尔夫 | 申请（专利权）人： | 希百特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备稳定高迁移率的非晶MOTFT的方法，包括提供其上形成有栅极的衬底和位于栅极之上的栅极电介质层的步骤。通过溅射沉积在栅极电介质层上的载流子传输结构，该载流子传输结构包括邻近于栅极电介质的非晶高迁移率的金属氧化物的层和沉积在所述非晶高迁移率的金属氧化物的层上的材料的相对惰性的保护层，该两层以无氧和在原位的方式来被沉积。非晶金属氧化物的层具有大于40cm2/Vs的迁移率和处于大约1018cm-3到大约5x1019cm-3的范围的载流子浓度。源极/漏极接触位于所述保护层之上并与之形成电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 迁移率 motft 低温 制备 | ||
【主权项】：
一种制备稳定高迁移率的非晶MOTFT的方法，包括以下各步骤：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极，并且栅极电介质层位于在所述栅极的上方；在所述栅极电介质层上沉积载流子传输结构，所述载流子传输结构包括邻近于所述栅极电介质的非晶高迁移率的金属氧化物的层和与所述金属氧化物的层相比为相对惰性的材料的保护层；在大约室温下，形成与所述保护层的顶表面邻近的富氧区；并且在大约350℃以下的高温下，将氧注入到所述保护层之中。
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