[发明专利]用于减小光点缺陷和表面粗糙度的绝缘体上半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201480026992.3 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105431936B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | Q·刘;J·L·利伯特 | 申请（专利权）人： | 太阳能爱迪生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 公开了用于减小绝缘体上半导体结构的光点缺陷的方法以及用于减少绝缘体上半导体结构的表面粗糙度的方法。该方法可包括热退火结构跟随有非接触平滑工艺的组合的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体上半导体结构 表面粗糙度 光点缺陷 减小 绝缘体上半导体 平滑工艺 非接触 热退火 晶片 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层和在所述处理晶片与所述硅层之间的介电层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开的表面，所述方法包括如下步骤：在包括氩气和氢气的环境中，以至少950℃的温度，在从15分钟到10小时的时间段里，热退火所述绝缘体上硅结构，其中所述环境包含小于10ppm的氧气；以及对所述裂开的表面执行非接触平滑工艺；其中，所述方法用于减小裂开的表面上的光点缺陷和表面粗糙度，致密介电层，并且强化所述硅层与所述介电层之间的接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
