[发明专利]半导体封装件的制造方法以及半导体封装件

摘要

在向半导体封装件的贯通孔(30)形成镀层(40)时，将在第1以及第2层叠体(10、20)形成的第1以及第2空腔(15a、15b(、25a、25b))置于内侧而使第1以及第2层叠体(10、20)重叠，并在周缘区域(R₀)使用粘接剂进行接合，将第1以及第2层叠体(10、20)的空腔设为密闭空间，以将包含第1以及第2层叠体(10、20)的接合面在内的一部分留下的方式形成贯通孔(30)。然后，对贯通孔(30)进行通孔镀敷，由此形成镀层(40)，将周缘区域(R₀)作为切削余量即切除区域进行切除，并且沿着切割线(DL)割离为多个，形成半导体封装件。

主权项

1.一种半导体封装件的制造方法，包含下述工序：形成第1层叠体，该第1层叠体具有第1绝缘性树脂板和第1中间层，该第1绝缘性树脂板具有第1以及第2主面，该第1中间层层叠在所述第2主面，具有构成至少一个第1空腔的开口部；形成第2层叠体，该第2层叠体具有第2绝缘性树脂板和第2中间层，该第2绝缘性树脂板具有第1以及第2主面，该第2中间层层叠在所述第2主面，具有构成至少一个第2空腔的开口部；在所述第1以及第2中间层的至少一方的周缘区域选择性地形成粘接剂，以将所述第1以及第2空腔彼此堵住的方式将所述第1以及第2中间层接合；形成与所述周缘区域相比在内侧到达至包含所述第1以及第2层叠体的接合面在内的一部分的非贯通孔；在所述非贯通孔形成镀层；以及沿着包含所述非贯通孔并将所述第1以及第2层叠体贯通的切割线，对所述第1以及第2层叠体进行割离，形成具有所述第1空腔的第1封装件以及具有第2空腔的第2封装件。