[发明专利]在数据存取之前对静态随机存取存储器(SRAM)中的位线进行预充电以减少泄漏功率，以及相关系统和方法

摘要

本文所揭示的实施例包含用于在数据存取之前对静态随机存取存储器SRAM中的位线进行预充电以减少泄漏功率的方法和设备。存储器存取逻辑电路在所述SRAM的SRAM数据阵列的第一数据存取路径中接收包括待存取数据条目地址的存储器存取请求。所述SRAM还包含预充电电路，其提供于在所述第一数据存取路径外部的第二数据存取路径中。所述预充电电路经配置以作为所述存储器存取请求的部分启用所述SRAM数据阵列的预充电以避免在空闲周期期间对所述SRAM数据阵列中的位线进行预充电从而减少泄漏功率。所述预充电电路可在数据存取之前启用所述SRAM数据阵列的预充电以使得所述预充电电路不对所述第一数据存取路径增加等待时间。

主权项

一种静态随机存取存储器SRAM，其包括：存储器存取逻辑电路，其提供于第一数据存取路径中，所述存储器存取逻辑电路经配置以：在所述第一数据存取路径中接收存储器存取请求的数据条目地址以用于寻址SRAM数据阵列中的数据条目；以及基于所述第一数据存取路径中的所述所接收数据条目地址而产生数据索引以给所述SRAM数据阵列加索引以用于存取所述SRAM数据阵列中对应于所述所接收数据条目地址的所述数据条目；以及预充电电路，其提供于与所述第一数据存取路径分开的第二数据存取路径中，所述预充电电路经配置以在存取所述SRAM数据阵列中的所述数据条目之前：在所述第二数据存取路径中接收所述数据条目地址；以及基于所述第二数据存取路径中的所述所接收数据条目地址而产生对所述SRAM数据阵列的至少一部分的预充电启用以对所述SRAM数据阵列的所述至少一部分进行预充电。