[发明专利]硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201480024949.3 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105164790B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 樱田昌弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/06;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 硅磊晶晶圆 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅磊晶晶圆，其在掺杂有碳的硅基板上具有掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层，且在该第一中间磊晶层上层叠有作为组件形成区域的磊晶层，该硅磊晶晶圆的特征在于，所述硅基板是对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒；在所述硅基板与所述第一中间磊晶层之间具有第二中间磊晶层；所述第二中间磊晶层的厚度为0.5μm以上2μm以下；所述硅基板为n型硅基板，所述第二中间磊晶层为n‑型磊晶层，所述第一中间磊晶层为n+型磊晶层，所述作为组件形成区域的磊晶层为n‑型磊晶层，p型元素被离子注入所述作为组件形成区域的磊晶层内而形成有p/n边界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
