[发明专利]穿透硅通孔的制造方法有效
| 申请号： | 201480024622.6 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105493277A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 安熙均;安相旭;李龙云;郑喜灿;李道永 | 申请（专利权）人： | （株）赛丽康 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种穿透硅通孔(TSV)的制造方法，更为涉及一种采用现有的沟槽型元件隔离工艺来简单制造穿透硅通孔(TSV)，同时完成穿透硅通孔(TSV)与硅之间的有效的电隔离的穿透硅通孔(TSV)的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 硅通孔 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种穿透硅通孔的制造方法，其特征在于，所述穿透硅通孔的制造方法包括以下步骤：利用沟槽型元件隔离工艺来在第一晶圆上形成沟槽型元件隔离膜；翻转所述第一晶圆并薄化所述第一晶圆的背面，直到露出所述沟槽型元件隔离膜；在所述第一晶圆背面上通过图案化和蚀刻来去除所述沟槽型元件隔离膜内部的半导体物质；以及通过填充在已去除所述半导体物质的沟槽型元件隔离膜内部来形成所述穿透硅通孔。
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