[发明专利]RESURF III-N高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201480024429.2 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105190896B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | N·蒂皮兰尼;S·彭德哈卡尔;J·约翰 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括GaN FET(124)的半导体装置(100)，在阻挡层(112)下面的低缺陷层(110)以及电隔离层(108)中的至少一个III‑N半导体层中，所述半导体装置(100)具有n型掺杂质。所述n型掺杂的载流子面密度是二维电子气的载流子面密度的1％到200％。 | ||
| 搜索关键词： | resurf iii 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：基底；在所述基底上方形成的电隔离层，所述电隔离层主要包括氮化镓；在所述电隔离层上方形成的低缺陷层，所述低缺陷层主要包括氮化镓；在所述低缺陷层上形成的III‑N半导体材料的阻挡层；以及在所述阻挡层上方形成的氮化镓场效应晶体管即GaN FET的栅极；其中所述电隔离层和所述低缺陷层中的至少一个包括添加的n型杂质以至于所述添加的n型杂质的载流子面密度为所述低缺陷层中的二维电子气的载流子面密度的1％到200％，所述二维电子气通过所述低缺陷层上所述阻挡层的形成而生成。
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