[发明专利]通过选择性循环蚀刻形成的finFET隔离有效
| 申请号： | 201480023493.9 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105190853B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | S·K·卡纳卡萨巴帕西;S·A·西格;T·E·斯坦达尔特;Y·尹 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 开曼群岛（*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 循环 蚀刻 形成 finfet 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种由包括过剩的鳍的结构形成用于隔离结构的沟槽的方法，所述过剩的鳍由半导体材料的层形成，在所述鳍之间沉积有局部隔离材料，所述方法包括以下步骤：在所述局部隔离材料和所述鳍之上沉积硬掩模材料，将所述硬掩模材料图案化，以及进行如下循环蚀刻：相对所述硬掩模材料和所述局部隔离材料选择性地蚀刻所述鳍，交替地相对所述鳍和所述硬掩模材料选择性地蚀刻所述局部隔离材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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