[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

主权项

一种半导体器件，包括：III‑V族半导体衬底；多量子阱结构，所述多量子阱结构设置在所述衬底上，并且包括层a和层b的多个对；以及晶体调整层，所述晶体调整层设置在所述衬底和所述多量子阱结构之间，其中所述晶体调整层包括第一调整层和第二调整层，所述第一调整层由与所述衬底相同的材料制成并且与所述衬底接触，所述第二调整层由与所述多量子阱结构的所述层a或所述层b相同的材料制成。