[发明专利]包括后续的多级净化步骤的MOCVD层生长方法

摘要

本发明涉及在一个或多个设置于CVD反应器的处理室(6)中的衬底(7)上沉积特别由第三和第五主族元素、第二和第六主族元素或第四主族元素构成的层的方法，其中在至少一个沉积步骤中使用至少一种含碳的气态原料，其中在所述一个或多个衬底上的层的生长过程中所述处理室(6)的壁面(5，8)上亦沉积寄生覆层，其中在从所述该处理室移除一个或多个衬底(7)后，在净化过程中通过导入包含一种或多种净化气体的气流并将所述处理室(6)加热至净化温度，使所述寄生覆层反应成挥发性物质，所述挥发性物质随所述气流被运离所述处理室(6)。为了从所述处理室中移除在第一净化步骤后留下的烟灰状残余物，本发明提出如下解决方案：所述净化过程包括分解步骤，在所述分解步骤中所述寄生覆层被分解成挥发性组分并且含碳的残余物留在所述壁面(5，8)上，所述含碳的残余物在氨净化步骤中与导入所述处理室的氨反应成挥发性化合物，该挥发性化合物随所述气流被运离所述处理室。

主权项

1.一种用于在一个或多个设置于CVD反应器的处理室(6)中的衬底(7)上沉积层的方法，其中在至少一个沉积步骤中使用至少一种含碳的气态原料，其中在所述一个或多个衬底上的层生长期间于处理室(6)的壁面(5,8)上亦沉积寄生覆层，其中在从所述处理室移除所述一个或多个衬底(7)后，在净化过程中通过导入包含一种或多种净化气体的气流并将该处理室(6)加热至净化温度来使所述寄生覆层反应成挥发性物质，所述挥发性物质随所述气流被运离处理室(6)，其特征在于，所述净化过程包括：在分解步骤之前进行的预分解步骤，其中在H2氛围下将该处理室(6)加热至升高的温度，分解步骤，其中C12作为净化气体连同N2一并导入处理室(6)，并且在所述分解步骤中所述寄生覆层分解成挥发性组分并且含碳的残余物留在壁面(5,8)上，和氨净化步骤，其中所述含碳的残余物与导入所述处理室的氨反应成挥发性化合物，所述挥发性化合物随所述气流被运离所述处理室。