[发明专利]发光二极管

摘要

本发明提供了一种硅氧烷化合物，其包含多个硅氧烷重复单元，并且所述硅氧烷重复单元中的至少一部分为符合规定结构的环硅氧烷重复单元。还提供了用于制备这样的硅氧烷化合物的方法。还提供了利用所述的硅氧烷化合物制备交联有机硅聚合物的方法以及成套材料。发光二极管(LED)包含封装物，并且该封装物包含由所述的硅氧烷化合物制备的交联有机硅聚合物。

主权项

1.发光二极管，包含：(a)半导体晶体，所述半导体晶体包含在所述半导体晶体的第一区域中的n型半导体材料、在所述半导体晶体的第二区域中的p型半导体材料和在所述半导体材料的所述第一区域与所述第二区域之间的边界处的p-n结；(b)阴极，所述阴极电连接至所述半导体晶体的所述第一区域，(c)阳极，所述阳极电连接至所述半导体晶体的所述第二区域，以及(d)包围所述半导体晶体的封装物材料，其特征在于所述封装物材料包含交联有机硅聚合物，所述交联有机硅聚合物通过包括如下步骤的方法制备：(i)提供第一硅氧烷化合物，所述第一硅氧烷化合物包含多个符合式(XL)结构的重复单元(XL)其中R1和R2独立地选自烷基、经取代的烷基、环烷基、经取代的环烷基、烯基、经取代的烯基、环烯基、经取代的环烯基、杂环基、经取代的杂环基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基、三烷基甲硅烷氧基、芳基二烷基甲硅烷氧基、烷基二芳基甲硅烷氧基和三芳基甲硅烷氧基；R3和R4独立地选自卤代烷基、芳烷基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基；R20和R21独立地选自氢、烷基、经取代的烷基、烷二基、经取代的烷二基、环烷基、经取代的环烷基、烯基、经取代的烯基、烯二基、经取代的烯二基、环烯基、经取代的环烯基、杂环基、经取代的杂环基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基、三烷基甲硅烷氧基、芳基二烷基甲硅烷氧基、烷基二芳基甲硅烷氧基和三芳基甲硅烷氧基；前提条件是R20和R21中仅一个为氢；以及进一步的前提条件是，如果R20和R21中的一个选自烷二基、经取代的烷二基、烯二基和经取代的烯二基，那么R20和R21中的另一个也选自烷二基、经取代的烷二基、烯二基和经取代的烯二基，并且R20和R21键合形成环状部分；x为0或者从1至6的正整数；并且y为从1至6的正整数；(ii)提供开环催化剂；(iii)混合所述第一硅氧烷化合物和所述开环催化剂以产生反应混合物；(iv)使所述反应混合物中的组分反应，使得(A)所述开环催化剂打开所述第一硅氧烷化合物中的至少一部分所述符合式(XL)结构的重复单元以形成交联基团，以及(B)至少一部分所述交联基团与所述第一硅氧烷化合物的其它分子发生反应以产生分子间交联，从而形成交联有机硅聚合物。