[发明专利]具有接线键合过孔的微电子封装体及其制作方法以及用于微电子封装体的加强层有效

专利信息
申请号: 201480019865.0 申请日: 2014-01-31
公开(公告)号: CN105074914B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: P·达姆博格;赵志军;E·乔;R·阿拉托瑞 申请(专利权)人: 伊文萨思公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 此处公开了微电子部件和形成这种微电子部件的方法。该微电子部件可以包括从基底12的键合表面30(诸如,在基底12的表面处的导电元件的表面)延伸的接线键合32形式的多个导电过孔。
搜索关键词: 微电子部件 微电子封装体 接线键合 基底 导电过孔 导电元件 键合表面 表面处 加强层 延伸 制作
【主权项】:
1.一种形成连接至基底的多条接线键合的方法,包括:(a)将下列各项中的至少一项相对于彼此定位:键合工具以及向下延伸超出所述键合工具的面的接线的部分、或者第一形成表面;从而使得向下延伸超出所述键合工具的面的所述接线部分的端部,被定位成低于所述键合工具的所述面,并且与所述第一形成表面相比,定位在距离所述键合工具面更大的深度处;(b)然后,在与所述键合工具面平行的第一方向上沿着所述第一形成表面移动所述键合工具,以便使所述接线部分以及所述接线部分的所述端部朝着所述键合工具弯曲;(c)然后,在横切所述键合工具面的第二方向上移动所述键合工具,从而使得延伸离开所述键合工具面的所述键合工具的外露壁与延伸离开所述第一形成表面的第二形成表面面对面,借此使所述接线部分和所述接线部分的所述端部朝着所述键合工具的所述外露壁弯曲,并且使所述接线部分的所述端部被定位成高于所述键合工具的所述面;(d)对所述接线部分的在所述键合工具面与模压表面之间的部分进行模压;(e)使用所述键合工具,将所述接线部分的经模压的所述部分键合至所述基底的导电键合表面以形成接线键合,同时保留所述接线部分的远离所述经模压部分的所述端部不键合;以及(f)重复步骤(a)至步骤(e),以形成至所述键合表面中的至少一个键合表面的多个所述接线键合。
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