[发明专利]纳米级等离子体激元场效应调制器有效
| 申请号： | 201480019856.1 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN105122106B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 赫·伟·李;斯坦利·布尔戈斯;乔治亚·帕帕扎基斯;H·A·阿特沃特 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 等离子体激元器件具有透明导电氧化物(TCO)波导和施加在TCO和金属层之间的用于调制输入光信号的可调整电压。等离子体激元器件包括：衬底；在衬底上的并具有开槽通道的金属层；在金属层上和开槽通道中的介电层；以及在介电层上和开槽通道中的透明导电氧化物(TCO)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 等离子体 场效应 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种光调制器，包括：衬底；在所述衬底上的金属层，所述金属层具有开槽通道；在所述金属层上和所述开槽通道中的介电层；在所述介电层上和所述开槽通道中的透明导电氧化物TCO，其中所述光调制器由施加到所述TCO和所述金属层的电偏置电压控制；以及其中由于来自施加到所述TCO和所述金属层的所述电偏置电压的场效应，在所述开槽通道中调制等离子体激元波导，并且输入光信号在所述开槽通道内部传播；以及其中所述TCO通过所述介电层与所述金属层绝缘。
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