[发明专利]硅烷功能化缓冲层和包括该缓冲层的电子设备

摘要

本发明涉及有机电子领域,例如OLED,OPV和具有反向结构的有机光电探测器。所述设备包括基材和多个层,其中至少一个所述层是缓冲层,其中所述缓冲层包括使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金属氧化物纳米颗粒。优选地，所述缓冲层用作阴极缓冲层。

主权项

一种选自有机电子的电子设备,其中，所述设备包括基材和多个层,其中，至少一个所述层是缓冲层,其中，所述缓冲层包括使用至少一种未取代的或取代的烷基‑烷氧基‑硅烷涂覆的金属氧化物纳米颗粒,其中，所述纳米颗粒的至少一个维度的尺寸是1–100纳米,其中，所述烷基‑烷氧基‑硅烷具有通式(II)(R¹O)₃‑Si‑R²‑FG   (II)其中R¹表示H,C₁‑C₄烷基,C₁‑C₄‑烷氧基‑C₁‑C₄‑烷基,R²表示C₁‑C₁₀烷基,饱和的或不饱和的C₃‑C₁₀碳环基团,FG表示‑P(O)(OR^{1`</sup>)<sub>2</sub>,‑OP(O)(OM)R<sup>1`},其中R^1`是C₁‑C₆烷基,C₁‑C₄‑烷氧基‑C₁‑C₄‑烷基，M是氢或碱金属。