[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物制造方法及研磨用组合物制备用试剂盒

摘要

本发明提供包含水溶性聚合物的研磨用组合物、利用规定的方法求出的蚀刻速率及磨粒吸附率分别在规定的范围的研磨用组合物，其中，所述水溶性聚合物具有包含SP值不同的多种重复单元的分子结构。此外，本发明还提供一种研磨用组合物制造方法，其为使用磨粒、碱性化合物、水溶性聚合物H及水来制造研磨用组合物的方法，所述水溶性聚合物H具有在碱性条件下表现出水解反应性的官能团，该方法包括如下工序：准备至少包含前述碱性化合物的A剂的工序；和准备至少包含前述水溶性聚合物H的B剂的工序。

主权项

1.一种最终抛光用的研磨用组合物，其用于由硅形成的表面的研磨，所述研磨用组合物包含磨粒、水溶性聚合物和水，所述研磨用组合物的pH为8.0～12.0，作为所述磨粒使用二氧化硅颗粒，所述水溶性聚合物具有包含乙烯醇单元作为重复单元的分子结构，所述二氧化硅颗粒的平均二次粒径DP2为20nm以上100nm以下，所述组合物根据以下的蚀刻速率测定得到的蚀刻速率为2.0nm/分钟以下，并且根据以下的磨粒吸附率测定得到的磨粒吸附率为20％以下，所述蚀刻速率测定为：(1A)准备包含0.18质量％所述水溶性聚合物和1.3质量％氨、且剩余部分由水构成的蚀刻速率测定用化学溶液LE；(2A)准备去除了表面的自然氧化膜的硅基板，所述硅基板为长6cm、宽3cm、厚775μm的长方形状，测定其质量W0；(3A)将所述硅基板在室温下在所述化学溶液LE中浸渍12小时；(4A)从所述化学溶液LE中取出所述硅基板，在室温下用29％的NH3:31％的H2O2:超纯水＝1:1:8体积比的清洗液清洗10秒；(5A)测定清洗后的所述硅基板的质量W1；以及(6A)由所述W0和所述W1之差及所述硅基板的比重算出蚀刻速率nm/分钟；所述磨粒吸附率测定为：(1B)对所述研磨用组合物进行离心分离处理，使所述磨粒沉降，测定其上清液的总有机碳量，求出该上清液中所含的有机碳的总量C1；(2B)准备从所述研磨用组合物的组成中去除了磨粒的组成的试验液L0，测定该试验液L0的总有机碳量，求出所述试验液L0中所含的有机碳的总量C0；(3B)由所述C0及所述C1用下式算出磨粒吸附率，磨粒吸附率(％)＝[(C0‑C1)/C0]×100。