[发明专利]异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201480016575.0 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN105051873B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 大部功;梅本康成;黑川敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于兼顾低成本化以及电气特性和可靠性变差的抑制。异质结双极晶体管(10A)具有集电层(16)，由以GaAs为主要成分的半导体构成；基极层(18A)，包括第1基极层(18A)和第2基极层(18B)，其中，第1基极层(18A)与所述集电层(16)异质接合，由以与集电层(16)的主要成分晶格失配的材料为主要成分的半导体构成，并且膜厚小于被引入失配位错的极限膜厚，第2基极层(18B)与第1基极层(18A)接合，由以与集电层(16)的主要成分晶格匹配的材料为主要成分的半导体构成；以及发射层(20)，与第2基极层(18B)异质接合。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管，具有：集电层，由以GaAs为主要成分的半导体构成；第1基极层，与所述集电层异质接合，由以与所述集电层的主要成分晶格失配的材料为主要成分的半导体构成，并且膜厚小于被引入失配位错的极限膜厚；第2基极层，与所述第1基极层接合，由以与所述集电层的主要成分晶格匹配的材料为主要成分的半导体构成；以及发射层，与所述第2基极层异质接合，所述集电层由含有所述GaAs的n型半导体构成，所述第1基极层和所述第2基极层由含有各自的所述主要成分的p型半导体构成，所述发射层由n型半导体构成，在所述第2基极层中，在与所述第1基极层接合前的状态下，传导带下端的能量表示高到从所述第1基极层的传导带下端的能量减去了室温下的自由电子所具有的热能而得到的值以上的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480016575.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水龙头及具有该水龙头的饮水机
- 下一篇：一种电动水壶
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
