[发明专利]第III‑V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点有效
| 申请号： | 201480015983.4 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105051153B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·丹尼尔斯;詹姆斯·哈里斯;保罗·安东尼·格拉维;凯瑟琳·奥查德;阿伦·纳拉亚纳斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在II‑VI族分子加晶种簇存在下制备窄分布、明亮、单分散的光致发光量子点的规模化方法，所述分子加晶种簇由锌盐和硫醇或硒醇化合物的反应原位制造。示例性量子点具有含有铟、磷、锌和硫或硒的核心。 | ||
| 搜索关键词： | iii 锌硫属化物 合金 半导体 量子 | ||
【主权项】：
一种形成量子点(QD)的方法，所述方法包括：在分子簇化合物的存在下，将第III族前体与第V族前体反应以形成半导体核心，所述分子簇化合物通过锌前体和硫属元素前体的反应原位形成，其中所述锌前体是乙酸锌和硬脂酸锌中的任一种，所述硫属元素前体是1‑十二烷硫醇、苯硫酚和1‑辛烷硒醇中的任一种，并且在所述分子簇化合物的所述原位形成之前，所述第III族前体、所述锌前体和所述硫属元素前体存在于单一的反应容器中，其中将第III族前体与第V族前体反应包括在第一温度下加热包含所述第III族前体、所述第V族前体、所述锌前体和所述硫属元素前体的混合物；以及随后将所述混合物在第二更高的温度加热，其中所述第一温度在25℃至100℃之间，并且所述第二温度在100℃至350℃之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米技术有限公司，未经纳米技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480015983.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法
- 下一篇：倒装芯片接合装置
